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內存世代即將來到DDR5的時代

2017-10-26 14:38:06

內存帶寬與密度都比目前DDR4更高2倍的DDR5內存接口芯片面市了,預計最快在2019年量產,為服務器的主存儲器帶來更高效能與功率管理。
 
近期,Rambus宣布在其實驗室中開發(fā)出DDR5的可用芯片——DDR5是動態(tài)隨機存取內存(DRAM)雙列直插式內存模塊(DIMM)的下一代重要接口。預計從2019年開始,暫存頻率驅動器與數據緩沖器可望有助于為服務器倍增主存儲器的傳輸速率,而且也引發(fā)了對于未來運算的爭論。

美國聯合電子設備工程委員會(JEDEC)標準組織計劃在明年6月之前宣布以DDR5規(guī)格作為下一代服務器的默認內存接口。然而,有些分析師指出,DDR5出現的時機,將會在持久型內存(即儲存級內存)、新式計算機架構與芯片堆棧等均陸續(xù)更新替代方案之際。

Rambus產品營銷副總裁Hemant Dhulla表示:“據我們所知,這是至今第一個在實驗室中開發(fā)出實際可行的DDR5 DIMM芯片組,預計可在2019年量產。我們希望率先使其上市,并協助我們的合作伙伴推出該技術。”

DDR5預計可支持高達6.4Gbits/s的資料率,傳輸帶寬最高達51.2 GBytes/s,分別較目前的DDR4支持的3.2Gbits數據率與25.6GBytes/s傳輸帶寬提高一倍。升級后的新版本將使64位鏈路的運作壓從1.2V降低至1.1V,并使突發(fā)周期(BL)從8位進展至16位。此外,DDR5可還讓電壓穩(wěn)壓器安裝于該記憶卡,而不必再加進主板中。
 
 
 
本文關鍵詞:DDR5

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