良好的設計是成功制造非易失性存儲器產品的重要關鍵，包括測試和驗證設備性能以及在制造后一次在晶圓和設備級別進行質量控制測試。新興的非易失性存儲器技術的制造和測試，這些技術將支持物聯網，人工智能以及先進的網絡開發(fā)和商業(yè)化，但首先讓我們看一下當前存儲器和新興的非易失性存儲器技術的特點，并了解為什么MRAM能夠立足出來。
 
非易失性存儲器技術的比較下表1比較了各種新興的非存儲器技術與已建立的存儲器（SRAM，DRAM，NOR和NAND閃存）1的一些重要特性。
   
相變存儲器，例如英特爾的光電存儲器，比動態(tài)隨機存取存儲器小(因此密度更大)，雖然沒有三維與非閃存那么大，但其性能介于動態(tài)隨機存取存儲器和與非閃存之間。這就是為什么Optane在NVMe固態(tài)硬盤和計算機內存總線的內存中銷售，以提供比NAND閃存更高性能的存儲層，或者在計算應用中增加DRAM內存。

鐵電隨機存取存儲器(FRAM)和電阻隨機存取存儲器(RRAM)，就像獨立的MRAM一樣，多年來一直被用于特殊領域。FRAM的獨立存儲器一直是低密度產品，但最近關于使用氧化鉿的特殊相作為鐵電存儲器的發(fā)現給了這項技術更廣泛應用的希望。電阻存儲器(包含許多不同的電阻技術)有望繼續(xù)擴展到非常小的存儲器尺寸，并可用于嵌入式存儲器應用。然而嵌入式和獨立非易失性新興存儲器最有希望的可能是MRAM。
 
 
 
本文關鍵詞：MRAM  SRAM  非易失性存儲器

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