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Everspin MRAM是一種具有革命性的存儲器，其原理是利用電子自旋的磁性結構，來提供不會產生損耗的非揮發特性。Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲信息，以在單一、可無限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發特性。Everspin是從飛思卡爾半導體公司分離出來的一家獨立公司。2006年，Everspin推出業界第一款商業化MRAM產品。今日，Everspin MRAM已廣泛用在數據存儲、工業自動化、游戲、能源管理、通訊、運輸、和航空電子領域。
Everspin MR10Q01允許對存儲器進行隨機讀寫操作，而且沒有寫入延遲。適合于必須通過一小部分I/O引腳快速存儲數據和程序的應用。 不僅在讀寫耐久性方面表現出色，而且還擁有與串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫時序，并且沒有寫入延遲。
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MR10Q010SC |
3.3v |
1.8 |
40MHz/104MHz |
Commercial |
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16-SOIC |
暫無 |
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